Stratistics MRCによると、窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場は、2022年に23億3000万ドルを占め、2028年には86億6000万ドルに達すると予測され、予測期間中の年平均成長率は24.4%に達するとされています。窒化ガリウム半導体デバイス市場の成長は、GaN半導体デバイスがシリコンデバイスに対して提供する利点に起因すると認識することができます。シリコン材料は、スマートフォン、コンピュータ、カメラ、テレビなどの電子機器の製造に使用されてきました。しかし、シリコンの革新的な特性が鈍化したことで、シリコンの100倍の速度を持つGaN半導体デバイスの機会が生まれました。GaNがシリコンより優れている点として、エネルギー効率の高さ、コストの低さ、デバイス速度の速さなどが挙げられ、市場の成長を後押ししています。
国際ロボット連盟によると、ロボットの年間販売台数は2020年の465千台から2022年には584千台へと増加するとされています。製造プロセスにおける自動化のニーズの高まりや技術の進歩は、予測期間中にロボットユニットの売上を促進すると予想される要因の一部です。
エネルギーおよび電力用途で窒化ガリウム半導体デバイスの需要が増加しているのは、LED、家庭用充電器、その他の最新のアクティブデバイスがより接続しやすくなっているためです。ワイヤレス通信や広帯域の高速通信は、高い需要があります。多くの通信会社が5Gのインフラを派遣し、業界をサポートしバックアップしています。GaN半導体は、電力スイッチの用途に優れています。MACOMとQorvoは、さまざまな種類のエネルギー効率の高いデバイスの需要に応えるためにGaN-on-Si半導体を開発しており、窒化ガリウム半導体デバイス市場を牽引しています。
炭化ケイ素は、電力整流、電力増幅、電力伝送など、いくつかの電力機能において優れた電力効率と高度な電力処理能力を提供する代替材料であり、高電圧での電力効率、電力整流における高い信頼性など、高度な機能を提供するため、高圧電力用途のシリコンに代わる材料として最適です。しかし、窒化ガリウム半導体は、電力効率が高いなど様々な利点がありますが、高電圧では炭化ケイ素のような高い性能を発揮することはできません。そのため、高電圧用半導体としては、窒化ガリウムよりも炭化ケイ素の方が優れており、市場の成長を妨げています。
窒化ガリウム半導体市場を牽引しているのは、RF半導体デバイス産業への大きな需要です。RF要素は通信分野と密接な関係があり、用途別に通信周波数帯域の広い範囲で動作する電子デバイスが必要とされるためです。窒化ガリウム半導体は、非常に高い周波数帯域で高い電力増幅を実現する能力を備えています。さらに、窒化ガリウムの技術における最近の進歩は、市場の成長をさらに促進しています。
10年来、高電圧パワーエレクトロニクスに使用されている半導体材料である純窒化ガリウムの製造コストは、炭化ケイ素よりも高く、これがGaN半導体デバイスの世界市場を阻害する要因の1つとなっています。GaNデバイスの製造には、基板、製造、パッケージ、サポートエレクトロニクス、研究など、多くの費用がかかる。したがって、その高コストが市場成長の妨げになっています。
COVID-19の世界的な流行は、大規模な製造装置の停電により、GaNメーカーの成長に悪影響を及ぼしている。さらに、パンデミックは、病気の広がりを厳しく制限するため、エレクトロニクスと自動車分野の需要を瞬間的に減少させ、市場の将来の機会に影響を与えています。GaN半導体デバイス市場は、様々な貿易摩擦や国家間の関係によって影響を受け、それによって市場の成長が妨げられると予想されます。
オプトセミコンダクター分野は、その実行可能な技術実装により、有利な成長を遂げると推定され、オプトセミコンダクターは自律走行車を標準化しました。オプト半導体は、経済の運営やデータの国家安全保障に不可欠なものとなっています。光半導体の需要の高まりは、以前はアクセスできなかった業務を可能性の範囲に導入しています。いくつかの産業分野では、エレクトロニクス製造サービス（EMS）のアウトソーシングが好まれていますが、これはオリジナルで高品質の製品を低コストで提供できるため、メーカーが競争優位に立ち、市場成長を促進するためです。
コンピュータのメモリーチップ、電子ゲーム用の固体マルチメディア記憶装置、カメラ、MP3プレーヤー、マイクロプロセッサーなど、さまざまな電子機器におけるトランジスタの増加により、市場は需要を目撃している。これらのトランジスタは、二セレン化タングステン（WSe2）や二セレン化スズ（SnSe2）の2次元層で構成することで技術が進化しており、市場の成長を加速しています。
アジア太平洋地域は、予測期間中に最大の市場シェアを占めると予測されています。 技術革新が急速に進む中、効率的で高性能なRFコンポーネントが急激に増加しています。中国と日本は、LEDディスプレイ、スマートフォン、ゲーム機など、消費者向け機器の主要メーカーのひとつです。これは、この地域の市場成長を後押しする重要な要因となっています。中国、インド、韓国などの国々では、強力な通信機器の需要が増加しており、GaNベースのRFデバイスの需要を促進すると予想されます。アジア太平洋地域では、ワイヤレス電子機器の採用が大幅に増加し、通信インフラが拡充していることが、この地域の市場をさらに牽引しています。
欧州は、先進的で近代的な技術インフラを有し、多数のメーカーが存在するため、主要メーカーの財政的にやりがいのある存在であると同時に、原材料が容易に入手できることから、予測期間中のCAGRが最も高いと予測されます。さらに、欧州における5Gネットワーク導入の増加は、予測期間中の市場成長に寄与すると予想されます。欧州の市場は、通信および自動車分野での先端技術の採用が増加していることが、欧州地域の市場成長を後押ししています。
主要プレイヤー
窒化ガリウム半導体デバイス市場の主なプレーヤーには、Efficient Power Conversion Corporation、Analog Devices, Inc、CGD Cambridge GaN Devices、Cree Inc、富士通、GaN Systems、NXP Semiconductor、NexgenPowerSystems、東芝、 Texas Instruments Incorporated、RF Micro Devices Incorporated、 Infineon Technologies AG、Aixtron SE、 Koninklijke Philips N.V および Epigan NV などがあります。
主な開発
2022年12月、EPCは2つの新しい80 V AEC-Q101認定GaN FETを発表し、自動車用48 V- 12 V DC-DC変換、インフォテインメント、自律走行用ライダー向けにシリコンMOSFETよりも大幅に小型で高効率なソリューションを設計者に提供、エンハンスメントモード窒化ガリウム（eGaN®）FETとICで世界をリードするエフィシェントパワーコンバージョン株式会社。
2022年11月、EPCが性能を倍増させる新世代のeGaN技術を発表 Efficient Power Conversion（EPC）は、80V、4mOhmのEPC2619 GaN FETを1.5 mm x 2.5 mmの小さなフットプリントで発表し、DC-DC変換、モータードライブ、12V～20V用の同期整流などの高電力密度用途で従来のMOSFETより高性能かつ小さなソリューションサイズで提供します。
2022年11月、アナログ・デバイセズ、スマートビルディングおよびファクトリーオートメーション向けの世界初のロングリーチ、シングルペアパワーオーバーイーサネット（SPoE）ソリューションを発表し、顧客が従来のネットワークの端にあるスマートビル、ファクトリーオートメーション、その他の用途にさらに高いレベルのインテリジェンスを推進できるようにします。
対象となる製品の種類。 - オプトセミコンダクター - 高周波デバイス - パワーセミコンダクター - その他製品種類別
対象となる部品 - トランジスター - ダイオード - 整流器 - パワーIC - コントローラー - その他コンポーネント
対応するウェーハサイズ - 1インチ、2インチ - 4 インチ - 6 インチ - 8 インチ - 12インチ - その他のウェーハサイズ
対象となる用途 - 防衛通信機器 - テレコム＆データコム サーバー - 充電器・アダプター - ワイヤレスチャージング - バッテリーテストシステム - エネルギー貯蔵システム - HVAC - 電子デバイス - その他の用途について
対象となるエンドユーザー - IT・通信 - コンシューマーエレクトロニクス - 自動車・輸送機器 - 航空宇宙・防衛 - エネルギー＆ユーティリティ - インダストリアル - その他のエンドユーザー
対象となる地域 - 北アメリカ オーユー オー・カナダ O メキシコ - ヨーロッパ o ドイツ オー・ユーケー o イタリア オ・フランス o スペイン o その他の欧州 - アジア太平洋 オージャパン o 中国 オ・インディア o オーストラリア o ニュージーランド o 南朝鮮 o その他のアジア太平洋地域 - 南米 o アルゼンチン オブラート オ・チリ o その他の南米地域 - 中近東・アフリカ o サウジアラビア O UAE オ・カタール o 南アフリカ o 中東・アフリカのその他の地域
【目次】
1 エグゼクティブサマリー
2 序文 2.1 抽象度 2.2 ステークホルダー 2.3 調査範囲 2.4 調査方法 2.4.1 データマイニング 2.4.2 データ分析 2.4.3 データバリデーション 2.4.4 リサーチアプローチ 2.5 リサーチソース 2.5.1 一次調査ソース 2.5.2 二次研究ソース 2.5.3 前提条件
3 市場動向の分析 3.1 はじめに 3.2 ドライバ 3.3 阻害要因 3.4 オポチュニティ 3.5 脅威 3.6 製品分析 3.7 用途別分析 3.8 エンドユーザー分析 3.9 エマージングマーケット 3.10 Covid-19の影響
4 ポーターズファイブフォース分析 4.1 サプライヤーのバーゲニングパワー 4.2 バイヤーのバーゲニングパワー 4.3 代替品への脅威 4.4 新規参入の脅威 4.5 競合他社への対抗意識
5 窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場：製品種類別 5.1 はじめに 5.2 オプトセミコンダクター 5.3 ラジオ波デバイス 5.4 パワー半導体 5.5 その他の製品の種類
6 窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場：構成部品別 6.1 はじめに 6.2 トランジスター 6.3 ダイオード 6.4 整流器 6.5 電源IC 6.6 コントローラー 6.7 その他のコンポーネント
7 窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場：ウェハサイズ別 7.1 はじめに 7.2 1・2インチ 7.3 4 インチ 7.4 6インチ 7.5 8インチ 7.6 12インチ 7.7 その他のウェーハサイズ
8 窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場：用途別 8.1 はじめに 8.2 防衛通信機器 8.3 テレコム＆データコムサーバー 8.4 充電器・アダプター 8.5 ワイヤレスチャージング 8.6 バッテリーテストシステム 8.7 エネルギー貯蔵システム 8.8 HVAC 8.9 電子デバイス 8.10 その他の用途
9 窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場：エンドユーザー別 9.1 はじめに 9.2 IT・通信 9.3 コンシューマーエレクトロニクス 9.4 自動車・輸送機器 9.5 航空宇宙・防衛 9.6 エネルギー＆ユーティリティ 9.7 産業用 9.8 その他のエンドユーザー
10 窒化ガリウム半導体デバイスの世界市場：地域別 10.1 はじめに 10.2 北米 10.2.1 米国 10.2.2 カナダ 10.2.3 メキシコ 10.3 ヨーロッパ 10.3.1 ドイツ 10.3.2 イギリス 10.3.3 イタリア 10.3.4 フランス 10.3.5 スペイン 10.3.6 その他のヨーロッパ 10.4 アジア太平洋地域 10.4.1 日本 10.4.2 中国 10.4.3 インド 10.4.4 オーストラリア 10.4.5 ニュージーランド 10.4.6 韓国 10.4.7 その他のアジア太平洋地域 10.5 南米 10.5.1 アルゼンチン 10.5.2 ブラジル 10.5.3 チリ 10.5.4 その他の南米地域 10.6 中東・アフリカ 10.6.1 サウジアラビア 10.6.2 UAE 10.6.3 カタール 10.6.4 南アフリカ 10.6.5 中東・アフリカの残りの地域
11 主な展開 11.1 契約、パートナーシップ、コラボレーションおよびジョイントベンチャー 11.2 買収・合併 11.3 新製品発表会 11.4 エキスパンション 11.5 その他の重点戦略
12 会社概要 12.1 エフィシエント・パワー・コンバージョン株式会社 12.2 アナログ・デバイセズ社 12.3 CGD ケンブリッジ・ガーン・デバイセズ 12.4 Cree Inc. 12.5 富士通 12.6 GaNシステム 12.7 NXPセミコンダクター 12.8 NexgenPowerSystems（ネクスジェンパワーシステムズ 12.9 株式会社東芝 12.10 Texas Instruments Incorporated（テキサスインスツルメンツインコーポレイテッド 12.12 RFマイクロデバイセズ・インコーポレイテッド 12.13 インフィニオン・テクノロジーズAG 12.14 Aixtron SE 12.15 Koninklijke Philips N.V. 12.16 エピガンNV
【お問い合わせ・ご購入サイト】 https://www.globalresearch.jp/contact 資料コード： SMRC22296
